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PBSS4160U中文资料

PBSS4160U图片

PBSS4160U外观图

  • 大小：202.93KB
  • 厂家：nxp
  • 描述：60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.35mm
  • 封装类型：UMT
  • 尺寸：1 x 2.2 x 1.35mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：415 mW
  • 最大发射极-基极电压：5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.1 V
  • 最大直流集电极电流：1 A
  • 最大集电极-发射极电压：60 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.28 V
  • 最大集电极-基极电压：80 V
  • 最小直流电流增益：100 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：220 MHz
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极小信号
  • 配置：单
  • 长度：2.2mm
  • 高度：1mm

PBSS4160U供应商

更新时间:2023-01-11 15:34:18
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